در این جهان، همواره برای كسانی كه از خطری بهراسند، خطری وجود خواهد داشت.
خوش آمدید - امروز : جمعه 19 آذر 1395
خانه » مقالات برق و الکترونیک » دانلود مقاله ترانزیستورهای اثر میدان و انواع آن

اطلاعیه سایت

با سلام و احترام خدمت شما بازدیدکنندگان

لطفا موارد زیر را به دقت مطالعه نمایید :

  • عزیزانی که به هر دلیل موفق به دریافت و یا دانلود فایل مورد نظرشان نشده اند (می توانند با مراجعه به صفحه تماس با ما مشکل خود را اطلاع داده تا مشکل آن ها برطرف گردد)
  • به اطلاع شما عزیزان می رسانیم با توجه به اینکه شبکه شاپرک اقدام به تهیه پروتکل امنیتی لایه باز کرده است و این شرکت نیز هم اکنون از نسخه 39 و نسخه های پایین تر مرورگر های گوگل کروم و موزیلا فایرفاکس پشتیبانی نمی کند، بنابراین الزامی است که برای پرداخت وجه مرورگر شما به روز شده باشد و از آخرین نسخه مرورگرتان استفاده کنید.

عدم آپدیت (به روز بودن) مرورگر باعث می شود، به جای صفحه درگاه بانک، خطای عدم تایید خرید را مشاهده نمایید.

راه حل : با آپدیت نمودن مرورگرتان، می توانید از بروز تراکنش های ناموفق پیشگیری کنید و خریدتان بدون مشکل انجام می شود.

دانلود مقاله ترانزیستورهای اثر میدان و انواع آن

دانلود مقاله ترانزیستورهای اثر میدان و انواع آن با 97 صفحه و فرمت اجرایی Word

در گذشته به علت استفاده از تقویت کننده های لامپ خلأ، در این گونه موارد مشکل چندانی پیش نمی آمد. حجم و سنگینی زیاد دستگاه های لامپی، ولتاژ تغذیه ی چند صد ولتی، مصرف انرژی زیاد، نیاز به داشتن فیلامان، کاهش راندمان و عمر کوتاه لامپ ها، مدت ها ذهن پژوهشگران الکترونیک را به ساختن قطعات نیمه هادی با خواص الکتریکی مشابه خواص لامپ ها مشغول ساخته بود. سرانجام حاصل تلاش آنان به اختراع ترانزیستورهای اثر میدان انجامید.

مقاله ای کامل درباره ترانزیستور های اثر میدان در این پست از سایت دانلود مقاله برای علاقه مندان به مباحث برق و الکترونیک آماده شده است که امیدواریم مورد رضایت شما عزیزان قرار گیرد. این مقاله دارای چهار فصل به صورت مجزا است که ما فقط عناوین فصل ها را ذکر می کنیم. فصل اول این مقاله ترانزیستورهای اثر میدان JFET را مورد بررسی قرار داده است. فصل دوم نیز به ترانزیستور اثر میدان MOSFET اشاره کرده است. فصل سوم نیز مولتی ویبراتور ها نام دارد که پیرامون آن بحث شده است و در فصل چهارم به موضوع مولتی ویبراتور آستابل با استفاده از FET پرداخته است.

همه چیز درباره ترانزیستورهای اثر میدان

بهتر است قبل از این که شروع به مطالعه و خواندن این مطلب کنید به عنوان مقدمه و آشنایی بیشتر و درک بهتر توضیحات، مقاله ترانزیستور را بخوانید.

تعریف ترانزیستور اثر میدان

ساختمان ترانزیستورهای اثر میدان از ترانزیستورهای دو پیوندی ساده تر است و مقاومت ورودی آن ها بسیار زیاد است. ترانزیستور های اثر میدان در دو نوع متفاوت ساخته می شوند که در یک نوع از روش نفوذی و در نوع دیگر از خاصیت خازنی لایه ها استفاده می شود. FET را ترانزیستور یک قطبی نیز می نامند.

انواع ترانزیستورهای اثر میدان

به طوری کلی این ترانزیستور ها دو نوع هستند. نوع اول FET پیوندی یا JFET و نوع دوم MOSFET که به اختصار MOS نامیده می شود.

یک نوع ترانزیستورهای اثر میدان

یک نوع ترانزیستورهای اثر میدان

ترانزیستور با اثر میدانی پیوندی یا JFET

ساختمان JFET

دو قطعه بلور P یک لایه نوع N را در میان گرفته اند. لایه N در حقیقت یک کانال عبور الکترون ها از سر سورس (S) به طرف درین (D) است. جریان در این کانال توسط میدان الکتریکی که از طریق سرهای گیت (G) اعمال می شود کنترل پذیر است. این JFET دارای کانال نوع N بوده و NJFET نام دارد. در ساختمان واقعی NJEFT یک سر گیت بیشتر وجود ندارد و قسمت های کانال و گیت بر روی یک قسمت پایه از نوع P به وجود آمده اند. در نوع PJFET، کانال از نوع P و قسمت های گیت آن از نوع N می باشند.

طرز کار و مشخصه های JFET

یک JFET کانال N را در نظر بگیرید. در این ترانزیستور جریان کانال را الکترون هایی که از طرف سورس به درین می روند به وجود می آورند. عامل حرکت این الکترون ها اتصال سر درین به قطب مثبت منبع ولتاژ است. در این حالت ایجاد ناحیه تهی در کانال به علت مثبت بودن ولتاژ درین نسبت به گیت است. با حرکت به سمت سورس در طول کانال این اختلاف پتانسیل کاهش یافته و در نتیجه عرض ناحیه تهی نیز کم می شود.

مدارهای بایاس JFET

از نکات مهمی که در طراحی بایاس JFET در مدارهای تقویت کننده خطی باید در نظر داشت یکی قرار گرفتن نقطه کار در وسط ناحیه اشباع به منظور افزایش حداکثر دامنه نوسان خروجی و دیگری پایداری نقطه کار در برابر تغییر دما و نیز تغییر پارامتر ها است.

مشکل پایداری نقطه کار تا آنجا که به تغییرات حرارتی پارامترها ارتباط دارد با انتخاب نقطه کار در محل مناسبی از مشخصه انتقالی که حساسیت حرارتی آن نزدیک صفر است تا حد قبولی برطرف می شود. اما مشخص نبودن پارامترهای هر ترانزیستور به طور دقیق و نیز تغییر آنها با تعویض یک ترانزیستور (حتی با نوع مشابه خودش) نکته دیگری است که باید در طراحی مدار بایاس به آن توجه کرد.

تقویت کننده های JFET در فرکانس های پایین

تقویت کننده های JFET، به علت مقاومت ورودی بزرگ این ترانزیستور ها، عمدتاً در طبقه ورودی تقویت کننده های چند طبقه مورد استفاده قرار می گیرند. به کارگیری این تقویت کننده ها در طبقات بعدی، اولاً به خاطر بهره ولتاژ پایین و ثانیاً به دلیل غیر خطی بودن مشخصه انتقالی متداول نیست.

ساختمان MOSFET

این نوع FET دارای مقاومت ورودی بسیار زیادی است و به علت فضای کمی که روی مدار مجتمع اشغال می کند در طراحی مدارهای مجتمع دیجیتال کاربرد وسیعی دارد. مزیت مهم دیگر این نوع FET آن است که می توان مدارهای مجتمع VLSI را تماماً بر مبنای MOSFET طراحی نمود. به عبارت دیگر از MOS می توان به عنوان مقاومت بار نیز بهره جست.

طرز کار و مشخصه های MOSFET

همانند JFET، در MOSFET نیز جریان درین ناشی از حرکت حامل های اکثریت در ناحیه کانال از سر سورس به طرف درین است. از آنجا که شیوه کنترل این جریان توسط گیت در MOSFET نوع تهی با نوع ارتقایی متفاوت است طرز کار و مشخصه های این دو نوع را جداگانه مورد بررسی قرار می دهیم.

حفاظت گیت در MOSFET

از آنجا که لایه اکسید بین گیت و کانال بسیار نازک و ظریف است، با اعمال ولتاژ بیش از حد به طور جدی دچار صدمه خواهد شد. علاوه بر این تجمع بار بر روی گیت نیز می تواند میدان الکتریکی به حد کافی بزرگی ایجاد نموده و باعث شکستن لایه اکسید شود. برای جلوگیری از این خسارت در بعضی از MOSFET ها یک دیود زنر بین گیت و پایه قرار داده می شود. در حالت کار عادی ترانزیستور، دیود مدار باز برده و هیچ اثری در مدار ندارد، اما در صورتی که یک ولتاژ بیش از حد در گیت ایجاد شود، شکست دیود ولتاژ را در حد ولتاژ Vz دیود محدود می سازد.

کابردهای MOSFET

در مورد کاربرد MOSFET در مدارهای خطی و تقویت کننده ها، البته موارد خاصی وجود دارند که یک طبقه ورودی با مقاومت بسیار بزرگ و اغتشاش کم ضرورت پیدا می کند. به عنوان مثال می توان تقویت کننده های طبقات ورودی گیرنده های رادیویی، تقویت کننده های صوتی و تقویت کننده های مخصوص الکترومترها و آشکارسازی های هسته ای را نام برد. اگرچه MOSFET از نظر امپدانس ورودی بی رقیب است ولی از نظر اغتشاش در فرکانس های پایین چندان ایده آل نیست.

RIAL 40,000 – خرید

اشتراک گذاری مطلب
ایمیل شما آشکار نمی شود

نوشتن دیدگاه

تمام حقوق مادی , معنوی , مطالب و طرح قالب برای این سایت محفوظ است - طراحی شده توسط پارس تمز